trust already work Биполярные транзисторы » Портал инженера

Биполярные транзисторы

fгр – граничная частота коэффициента передачи тока. Частота, при которой модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером экстраполируется к единице. Частота, равная произведению модуля коэффициента передачи тока на частоту измерения, которая находится в диапазоне частот, где справедлив закон изменения модуля коэффициента передачи тока 6 дБ на октаву.
fh21 – предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора. Частота, на которой модуль коэффициента передачи тока падает на 3 дБ по сравнению с его низкочастотным значением.
h21Э – статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора. Отношение постоянного тока коллектора к постоянному току базы при заданных постоянном обратном напряжении коллектор – эмиттер и токе эмиттера в схеме с общим эмиттером.
h21э – коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером. Отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению входного тока в режиме короткого замыкания выходной цепи по переменному току в схеме с общим эмиттером.
Iк – ток коллектора транзистора.
Iкбо – обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор – база и разомкнутом выводе эмиттера.
Iк.макс – максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
Iк.и.макс – максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
Iкэк – обратный ток коллектор – эмиттер при короткозамкнутых выводах базы и эмиттера. Ток в цепи коллектор – эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор – эмиттер и короткозамкнутых выводах эмиттера и базы.
Iкэо – обратный ток коллектор – эмиттер при разомкнутом выводе базы. Ток в цепи коллектор – эмиттер при заданном напряжении коллектор – эмиттер и разомкнутом выводе базы.
IкэR – обратный ток коллектор – эмиттер при заданном сопротивлении в цепи база – эмиттер. Ток в цепи коллектор – эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор – эмиттер и заданном сопротивлении в цепи база – эмиттер.
Iкэх – обратный ток коллектор – эмиттер заданном обратном напряжении база – эмиттер.
Iэ – ток эмиттера транзистора.
Iэбо – обратный ток эмиттерного перехода при разомкнутом выводе коллектора транзистора.
Iэ.макс – максимально допустимый постоянный ток эмиттера транзистора.
Iэ.и.макс – максимально допустимый импульсный ток эмиттера транзистора.
Кш – коэффициент шума транзистора. Для биполярного транзистора это отношение мощности шумов на выходе транзистора к той её части, которая вызвана тепловыми шумами сопротивления источника сигнала.
Рмакс – максимально допустимая постоянно рассеиваемая мощность.
Рк.макс – максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
Рк.и.макс – максимально допустимая импульсная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
Рк.ср.макс – максимально допустимая средняя мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
Q – скважность.
Rтп-с – тепловое сопротивление от перехода к окружающей среде.
Rтп-к – тепловое сопротивление от перехода к корпусу транзистора.
tвкл – время включения биполярного транзистора. Интервал времени, являющийся суммой времени задержки и времени нарастания.
tвыкл – время выключения биполярного транзистора. Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигнет значения, соответствующего 10 % его амплитудного значения.
Тмакс – максимальная температура корпуса транзистора.
Тп.макс – максимальная температура перехода транзистора.
tрас – время рассасывания биполярного транзистора. Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает заданного уровня.
Uкб – напряжение коллектор – база транзистора.
Uкбо.макс – максимально допустимое постоянное напряжение коллектор – база при токе эмиттера, равном нулю.
Uкбо.и.макс – максимально допустимое импульсное напряжение коллектор – база при токе эмиттера, равном нулю.
Uкэо.гр – граничное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера.
UкэR.макс – максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном (конечном) сопротивлении в цепи база – эмиттер транзистора.
Uкэх.и.макс – максимально допустимое импульсное напряжение между коллектором и эмиттером при заданных условиях в цепи база – эмиттер.
Uкэ – напряжение коллектор – эмиттер транзистора.
Uкэ.нас – напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
Uэбо.макс – максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер – база при токе коллектора, равном нулю 


Обсудить на форуме

Комментарии

Добавить комментарий
    • bowtiesmilelaughingblushsmileyrelaxedsmirk
      heart_eyeskissing_heartkissing_closed_eyesflushedrelievedsatisfiedgrin
      winkstuck_out_tongue_winking_eyestuck_out_tongue_closed_eyesgrinningkissingstuck_out_tonguesleeping
      worriedfrowninganguishedopen_mouthgrimacingconfusedhushed
      expressionlessunamusedsweat_smilesweatdisappointed_relievedwearypensive
      disappointedconfoundedfearfulcold_sweatperseverecrysob
      joyastonishedscreamtired_faceangryragetriumph
      sleepyyummasksunglassesdizzy_faceimpsmiling_imp
      neutral_faceno_mouthinnocent

    Схемы включения транзисторов

      Схема включения транзистора с общим эмиттером. При подаче некоторого напряжения на базу транзистора (Vin), он немного открывается, через него начитает течь ток, который вызывает падение напряжения на R1.

    Биполярный транзистор.

      В каком-то приближении транзистор можно рассматривать как 2 последовательно включённых диода (база-эмиттер и база-коллектор) и возможностью включения связи (канала) эмиттер-коллектор (нарисован красным цветом). 

    В чем разница между NPN и PNP транзисторами?

    Существует два основных типа транзисторов – биполярные и полевые. Биполярные транзисторы изготавливаются из легированных материалов и могут быть двух типов – NPN и PNP.

    V205-T Сварочный инвертор

    Это полнофункциональный сварочный аппарат TIG также способен палочке сварки. Оснащена коррекции коэффициента мощности (PFC) Invertec® V205-T AC / DC обеспечивает почти 30% больше выходной мощности с тем же входным током.

    Биполярный транзистор.

    Биполярный транзистор - электронный полупроводниковый прибор, один из типов транзисторов, предназначенный для усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов.

    Условные обозначения

    ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ И УСТРОЙСТВА