Условные обозначения

Электроника, электрика / Не разобранное - электрика
Alexsandrs
1 247
26-10-2015, 22:45
0

А,	Механический эквивалент света	К	Постоянная Больцмана
В	Сииий свет	К,	Коэффициент передачи по току
С	Скорость света в свободном простран	Ку	Коэффициент световой эффективности
	Стве		Коэффициент усиления лазера
Ся	Емкость диода	К	Коэффициент потерь излучения
А,	Коэффициент диффузии электронов		В резонаторе лазера
°р	Коэффициент диффузии дырок	Аф	Импульс фотона
</	Толщина диэлектрика		Яркость светящейся поверхности
Е	Энергия, освещенность поверхности,		Длина когерентности
	Вектор напряженности	^лаз	Длина лазерного излучения
£фОТ	Энергия фотона	И-	Энергетическая яркость
■^фои	Энергия фонона		Яркость
£з	Энергетическая ширина запрещенной	М	Светимость излучающей поверхности
	Зоны	Мф	Масса фотона
Ев	Энергия дна зоны проводимости	Ме	Энергетическая светимость
	Свободного электрона	П	Показатель преломления
Е.	Энергия потолка валентной зоны	N.	Число Авогадро
Е ^■вын	Энергия вынуждающего излучения	Р	Мощность
Ее	Облученность поверхности	Р. ых	Выделяемая мощность
Е,	Энергия накачки	Р 1 ПОГП	Поглощаемая мощность
£ф	Энергия Ферми	Р 1 пред	Предельная мощность
Ею	Модуль Юнга	Р»	Импульс электрона
Е	Коэффициент теплового шума	Лол	Мощность излучения
Е{1)	Функция видности	Лтн	Мощность генерируемая внутри
/	Частота		Кристалла
/гр	Граничная частота	Рх	Мощность излучения для длины
С	Зеленый свет		Волны X
//,	Энергетическая экспозиция	П„	Плотность энергии электромагнитного
//с	Световая экспозиция		Поля
Фе	Поток излучения	Е	Добротность
Фv	Световой поток	И	Коэффициент отражения
И	Постоянная Планка	Я»	Сопротивление диода
I.	Сила излучения	ГЛ	Динамический резистор
/*	Ток насыщеня транзистора	Рогр	Ограничивающее сопротивление СИД
/„	Электронная составляющая тока	Рп	Сопротивление потерь
!р	Дырочная составляющая тока		Последовательный резистор
'диф	Диффузионный ток	Ріс.	Темновое сопротивление
/и	Ток насыщения	Я	Красный свет, коэффициент отражения
/о	Обратный ток при насыщении	Б	Площадь поверхности
'обр	Обратный ток	/	Время
*ПОВ	Ток утечки по поверхности	^диф	Время диффузии
*пр	Прямой ток	'и	Длительность импульса
*пр тах	Максимально допустимый прямой ток через светодиод	Р*тшх	Максимально допустимая температура корпуса светодиода
*рек	Ток рекомбинации	Тв	Температура перехода
/’с	Сигнальный ток	Иж	Напряжение контактной разности
'сд	Ток через светодиод		Потенциалов
*г	Ток теплового шума	И„	Напряжение источника питания
Т. Г.	Ток термогенерации	Ипр	Напряжение прямого смещения
*тун	Ток туннельный	^обр	Напряжение обратного смещения
1Ш	Шумовой ток	^обрпих	Максимально допустимое обратное
‘V	Сила света		Напряжение светодиода

{banner_rca-news-1-1}

С4брип. ах максимально допустимое импульсное

	Обратное напряжение светодиода
С4д	Напряжение световода
К	Групповая скорость
К	Объем когерентности
*	Скорость дрейфа дырок
	В электрическом поле
Уф	Фазовая скорость
Т	Относительная функция внаности
А/	Полоса рабочих частот
О/	Коэффициент поглощения,
	Коэффициент затухания света
Р	Коэффициент, учитывающий потери
X	Толщина слоя
Є	Диэлектрическая проницаемость
	Диэлектрика
П	Внешний квантовый выход
*1опт	Коэффициент вывода света
11,	Внутренний квантовый выход

X	Длина волны
^•шах	Максимальное спектральное
	Распределение светодиода
М	Магнитная проницаемость диэлектрика
Мр	Подвижность дырок
V	Частота оптического излучения
V«	Центральная частота излучения
Т. м	Внутримодовая дисперсия
Тк	Время когерентности
*^мд	Материальная дисперсия
Тмм	Межмодовая дисперсия
Тр	Время релаксации
Тф	Время излучения фотона
Ъ	Время жизни на уровне у
0	Угол излучения;
	Характеристическая температура Дэбая
Єр	Расходимость излучения
П	Телесный угол