1. »
  2. »
  3. »
  4. »
  5. Микросхемы К1014КТ1А—К1014КТ1В
Новые публикации Скрыть панель справаПоказать панель справа

Микросхемы К1014КТ1А—К1014КТ1В

Новичок
  1. Офлайн
  2. Администраторы
  3. 1 сообщений
  4. Репутация: 0
  5. Сообщение
  6. Личные данные
Полезность: 0 | сообщение № 1 отправлено 19:01, 13.04.2018
Микросхему 1014КТ1, содержащую пару однотипных полевых транзисторов, часто используют для замены полевых транзисторов типа КП501 и аналогичных. Данная микросхема содержит близко похожие по электрическим
характеристикам два однотипных полевых транзистора. Почему возникает актуальная проблема замены «полевиков» на транзисторы, включенные по схеме Дарлингтона? Биполярные транзисторы, включенные по схеме
Дарлингтона (соединенные коллектором), часто используют радиолюбители в своих конструкциях. Известно,что при таком включении, относительно параметров усилителя тока на одном из таких транзисторов, в подавляющем большинстве случаев коэффициент усиления по току увеличивается в десятки раз.
Но добиться значительного запаса работоспособности по напряжению, воздействующему на каскад, удается не всегда. Усилители по схеме Дарлингтона, состоящие из двух биполярных транзисторов (схема включения показана на рис. 1), часто выходят из строя при воздействии импульсного напряжения, даже если оно не превышает значение электрических параметров, указанных в справочной литературе.

Рис. 1. Схема включения транзисторовпо схеме Дарлингтона
Бороться с этим неприятным эффектом можно разными способами. Одним из них — самым простым — является применение в составной паре транзистора с большим (в несколько раз) запасом ресурса по напряжению коллекторэмиттер.
На практике это достигается увеличением себестоимости конструкции изза относительно высокой стоимости таких «высоковольтных» транзисторов. Как еще один вариант — возможно приобрести специальные составные кремниевые транзисторы в одном корпусе (например, КТ712, КТ825, КТ827, КТ829, КТ834, КТ848, КТ852, КТ853, КТ894, КТ897, КТ898, КТ972, КТ973 и др.). Среди этого списка есть мощные и средней мощности приборы, разработанные практически для всего
спектра радиотехнических устройств.
Но есть и альтернативный вариант — замена классической схемы Дарлингтона двумя параллельно включенными полевыми транзисторами типа КП501В (можно использовать приборы КП501А–КП501В, КП540 и другие с аналогичными электрическими характеристиками). Вывод затвора подключают вместо базы VT1, а вывод истока — вместо эмиттера VT2 (рис. 1), вывод стока — вместо объединенных коллекторов VT1,VT2. Схема включения полевых транзисторов вместо «составного» показана на рис. 2.

Рис. 2. Замена полевыми транзисторами составного транзистора по схеме Дарлингтона
После такой несложной доработки (замены узлов в электрических схемах, носящих универсальный характер применения) усилитель тока на транзисторах VT1, VT2 не выходит из строя даже при многократной перегрузке по приложенному напряжению, достигающей значения в 10 и более раз.
Причем, сопротивление ограничительного резистора в базе VT1, увеличивается также в несколько раз, изза того, что полевые транзисторы имеют более высокое входное сопротивление электрическому току и, как следствие, выдерживают перегрузки при импульсном характере управления данным электронным узлом. Сопротивление резистора R1 в доработанном варианте выбирается в зависимости от характера нагрузки. При этом максимальный ток не должен превышать 0,2 А (в случае применения полевого транзистора из серии КП501). Сопротивление R1 (согласно схеме на рис. 2) выбирают таким
образом, чтобы на выводе затвора параллельно соединенных полевых транзисторов присутствовало 1/2 UПИТ.
Коэффициент усиления по току полученного каскада не менее 50. Он увеличивается также прямо пропорционально увеличению напряжения питания узла.
Оба полевых транзистора микросхемы 1014КТ1 соединяют параллельно так, как показано на рис. 2.

Рис. 3. Цоколевка микросхем 1014КТ1А–1014КТ1В
При отсутствии дискретных транзисторов типа КП501А–КП501В без потери качества работы устройства применяют микросхему 1014КТ1В. Отличительная особенность именно этой микросхемы от, например, 1014КТ1А и 1014КТ1Б в том, что рекомендуемый вариант выдерживает более высокие перегрузки по приложенному напряжению импульсного характера — до 200 В постоянного напряжения.
Цоколевка включения транзисторов микросхемы 1014КТ1А–1014К1В показана на рис. 3.
На практике, также, как в предыдущем варианте, полевые транзисторы включают параллельно.
Область применения разработки. Рекомендуемым автором методом опробованы и успешно заменены десятки электронных узлов, включенных по схеме Дарлингтона. Область применения данных узлов в радиолюбительских конструкциях универсальна (токовые ключи) — такая же, как и область применения составных транзисторов, включенных по схеме Дарлингтона. Отличительная особенность (кроме вышеперечисленных) в том, что полевые транзисторы энергоэкономичны и в закрытом состоянии изза высокого входного сопротивления практически тока не потребляют. Управлять полевыми транзисторами можно с помощью ультрамалого (десятки мкА) входного тока, а по цене они сегодня практически равны среднемощным транзисторам типа КТ815, КТ817, КТ819 (и другими), которые принято использовать в качестве усилителя тока для управления устройствами нагрузки.

А.П. Кашкаров
ПОПУЛЯРНЫЙ СПРАВОЧНИК РАДИОЛЮБИТЕЛЯ

Последний раз редактировал Alexsandrss 19:02, 13.04.2018
 
Перейти
Найти

Доступ закрыт.

  1. Вам запрещено отвечать в темах данного форума.