Идентификация полупроводниковых SMD-компонентов

Комплектующие, радиокомпоненты / Радиодетали / Другие детали
Administrator
1 546
1-06-2017, 10:31
0

Чтобы идентифицировать тип SMD компонента, сначала определите код, нанесенный на приборе. Затем найдите первый символ кода в алфавитно-цифровом списке и нажмите на него.

Цоколевку прибора можно получить при нажатии на пункты раздела «Цоколевки» в верхней части экрана.

Kаждый код прибора не обязательно уникален. Например, код 1A имеют транзисторы BC846A и FMMT3904. Даже один производитель может использовать один и тот же код для различных устройств. В этом случае используйте дополнительную информацию для его правильной идентификации.

Некоторые производители используют дополнительные буквы для указания на собственный код идентификации. Так фирма Philips обычно добавляет к коду строчные буквы «p», «t» и символ «-«, а фирма Siemens — строчную букву «s».

Например, если код прибора в корпусе SOT23 — 1Ap, то необходимо искать код 1A. Согласно таблице имеются шесть вариантов с таким кодом:

Код	Наименование	Фирма	Корпус	Цоколевка	Эквивалент/Краткое описание
1A	BC846A	Phi ITT Mot	SOT23	T1a	SI-N BC546A
1A	BC846AW	Motorola	SOT323	T1a	SI-N BC546A
1A	FMMT3904	Zetex	SOT23	T1a	SI-N 2N3904
1A	SXT3904	Infineon	SOT89	T3a	SI-N 40V 200mA 2N3904
1A	MMBT3904	Motorola	SOT23	T1a	SI-N 2N3904
1A	IRLML2402	IR	SOT23	T1c	n-ch mosfet 20V 0.9A

Однако наличие суффикса p говорит о производителе — фирме Philips и прибор в данном корпусе однозначно определяется как транзистор BC846A.

Многие приборы фирмы Rohm, код которых начинаются с буквы R или G, имеют прямым эквивалентом код, найденный в оставшейся части. Например, код RA1 также как и A1 обозначает диод BAW56, а код G6B также как и 6B обозначает транзистор BC817-25. Код некоторых транзисторов этой фирмы имеет в конце дополнительную букву (в наших таблицах заменена символом «*»), указывающую на коэффициет усиления h_fe в соответствии со следующей таблицей.

Code	hfe	Code	hfe	Code	hfe	Code	hfe	Code	hfe
A	16-32	B	25-50	D	60-120	E	100-200	F	160-320
M	39-82	N	56-120	P	82-180	Q	120-270	R	180-390
S	270-560	T	390-820	U	560-1200	V	820-1800	W	1200-2700
X	1800-3900	Y	2700-5600

Некоторые из новых устройств фирмы Motorola имеют маленькую надпись после кода устройства типа SAC, которая обозначает просто месяц изготовления.

Дальнейшее уточнение может быть получено по типу корпуса прибора. Например, код 1К на корпусе SOT23 относится к транзистору BC848B (250mW), а код 1К на корпусе SOT323 идентифицирует прибор как BC848BW (идентичный, но 200mW).

Суффикс L обычно указывает на корпус с низким профилем, типа SOT323 или SC70.

Устройства с реверсивным расположением выводов часто имеют суффикс R в обозначении типа. Например, 67 — код для BFP67 в корпусе SOT143, а 67R — код для варианта с реверсивным расположением выводов BFP67R в корпусе SOT143R.

Эквиваленты и дополнительная информация

Где это возможно, в таблице дается соответствующий данному SMD-компоненту тип обычных приборов с эквивалентными характеристиками. Если такое устройство достаточно известно, то подробная информация не дается, в противном случае иногда приводится некоторая дополнительная информация. Для приборов не имеющих обычного эквивалента часто дается краткое описание, которое может быть полезно для поиска замены.

При описании характеристик устройства, некоторые данные подразумеваются из типа устройства. Например, напряжение, указанное для диода — обычно максимальное обратное напряжение, а для стабилитрона — напряжение стабилизации. Обычно в описании, где определены напряжение, ток или мощность, задаются максимальные значения.

Например, устройство, указанное как SI-N 20V 0. 1A 1W — это NPN транзистор с максимальным Vce=20V, максимальным током коллектора 100mA и максимальной мощностью 1W.

Некоторые из транзисторов имеют интегрированные резисторы. В таблице резистор базы означает резистор, соединенный последовательно с базой. Когда даны два значения резисторов, то первый соединен последовательно с базой, а второй — между базой и эммитером.

Используемые сокращения

Сокращения в колонке данных
amp	amplifier	atten	attenuator
a	anode	b	base
c	cathode	ca	common anode
cc	common cathode	comp	complement
d	drain	dg	dual gate
enh	enhancement (mode — FETs)	fet	field effect transistor
fT	transition frequency	GaAsfet	Gallium Arsenide field effect transistor
g	gate	gnd	ground
gp	general purpose	hfe	small signal current gain
i/p	input	Id	drain current
Ig	gate current	Ir	reverse leakage current (diodes)
jfet	junction field effect transistor	max	maximum
min	minimum	mosfet	metal oxide insulated gate fet
n-ch	n-channel fet (any type)	npn	npn bipolar transistor
o/p	output	p-ch	p-channel fet (any type)
pin	pin diode	pkg	package
pnp	pnp bipolar transistor	prot	protection, protected (as in mosfet gate)
res	resistor	s	source
ser	series	Si	silicon
SI-N	npn transistor	SI-P	pnp transistor
substr	substrate	sw	switch or switching
Vce	collector — emitter voltage (maximum)	Vcc	collector supply voltage
Сокращенные названия фирм-производителей
DalSemi	Dallas Semiconductor	Fairchild	Fairchild Semiconductor
GenSemi	General Semiconductor	HP	Hewlett-Packard
ITT	ITT Semiconductors	Maxim	Maxim
Motorola	Motorola	NatSemi	National Semiconductor
Philips	Philips Semiconductors	Rohm	Rohm Co., Ltd
STM	STMicroelectronics (SGS-Thompson)	Infineon	Infineon Technologies (Siemens)
Siliconix	Siliconix (Vishay-Silliconix)	Temic	Temic Semiconductors
Telefunken	Telefunken (Vishay-Telefunken)	TI	Texas Instruments
Toko	Toko Inc.	Zetex	Zetex Semiconductors