trust already work Маркировка микросхем Samsung » Портал инженера

Маркировка микросхем Samsung

Маркировка микросхем Samsung: K4ABBCCDEF — GHIJ

К -> Означает, что перед вами микросхема памяти
4 -> Означает, что перед вами микросхема типа DRAM
A -> Указывает тип памяти, принимает буквенные значения от А до Z, каждому из которых соответствует определенный тип памяти. На памяти видеокарт вы можете встретить следующие буквы:
D — DDR SGRAM;
G — SGRAM;
N — DDR SGRAM II;
V — VRAM (однопортовая);
W — WRAM (двухпортовая).
Расшифровку остальных можно уточнить на сайте Samsung по адресу www.samsung.com
{banner_rca-news-1-1}
BB -> Указывает емкость чипа и время подзарядки, принимает как цифровые, так и цифро-буквенные двухзначные значения. Приведем некоторые из них:
26 — 128 Мбит 4К, 32 мс;
27 — 128 Мбит 16К, 32 мс;
28 — 128 Мбит 4К, 64 мс;
62 — 64 Мбит 2К, 16 мс;
63 — 64 Мбит 2К, 32 мс;
64 — 64 Мбит 4К,64 мс

CC -> Указывает организацию, принимает двузначные значения. Вот некоторые из них:
16 — х16;
32 — х32;
64 — х64

D -> Указывает число банков памяти. Принимает одно из шести числовых значений:
1 — 1 банк;
2 — 2 банка;
3 — 4 банка;
4 — 8 банков;
b — 16 банков;
6 — 32 банка
{banner_rca-news-1-2}
E -> Указывает тип интерфейса памяти, VDD и VDDQ. Принимает как числовые, так и буквенные однозначные значения, некоторые из которых приведены ниже:
6 — SSTL-3, 3,3 В, 3,3 В;
7 — SSTL-2, 3,3 В, 2,5 В;
8 — SSTL-2, 2,5 В, 2,5 В;
9 — RSL, 2,5 В, 2,5 В;
А — SSTL, 2,5 В, 1,8 В;
Q — SSTL, 1,8 В, 1,8 В

F -> Указывает поколение памяти, принимает буквенные значения, некоторые из которых приведены ниже:
М — первое поколение;
А — второе поколение;
В — третье поколение;
С — четвертое поколение;
D — пятое поколение;
Е — шестое поколение;
F — седьмое поколение
{banner_rca-news-1-3}
G -> G — указывает тип упаковки. Принимает следующие значения в зависимости от типа памяти (см. значение А):
1. для DDR SGRAM:
Q — TQFP;
G — FBGA;
H — WBGA;
J — FBGA (DDP);
Т — TSOP2-400;
L — TSOP2-400(LF);
U — TQFP(LF);
V — FBGA(LF);
P — FBGA(LLDP);
2. для SGRAM:
P — QFP;
Q — TQFP;
3. для VRAM:
H — SSOP;
4. для WRAM:
P — QFP;
5. для DDR SGRAM II:
G — FBGA,
E — FBGA (LF, DDP

H -> Температура и потребляемая мощность, принимает как буквенные, так и числовые значения, некоторые из которых приведены ниже:
А — Automotive, Normal;
С — Commercial, Normal;
L — Commercial, Low;
В — Commercial, Super Low; E — Extended, Normal; N — Extended, Low; U — Extended, Super Low; 1 — Industrial, Normal; P — Industrial, Low; D — Industrial, Super Low; G — Extended, Low, PASR & TCSR, Г — Industrial, Super Low, PASR & TCSR
IJ -> Скорость (время доступа), принимает следующие значения в зависимости от типа памяти: VRAM и WRAM: 80 — 8ns; 70 — 7ns; 60 — 6ns; 55 — 5,5ns; 50 — 5ns; DDR SGRAM: 21 — 2,1ns (475 МГц); 22 — 2,2ns (450 МГц); 25 — 2,5ns; 30 — 3ns; 33 — 3,3ns; 35 — 3,5ns; 36 — 3,6ns; 3N — 3,32ns (301 МГц); 40 — 4ns; 45 — 4,5ns; 50 — 5ns; 55 — 5,5ns; 58 — 5,8ns; 60 — 6ns; 66 — 6,6ns; 67 — 6,7ns; 70 — 7ns; 80 — 8ns; 90 — 9ns; 2А — 2,86ns (350 МГц); 2В — 2,94ns (340 МГц); 2С — 2,66ns (375 МГц); DDR SGRAM II: 12 — 1,25ns; 14 — 1,429ns; 16 — 1,667ns; 18 — 1,818ns; 1К — 1,996ns; 20 — 2ns; 22 — 2,2ns; 25 — 2,5ns; 30 — 3ns; 33 — 3,3ns

 

 

Источник: https://tutlink.ru/



Обсудить на форуме

Комментарии

Добавить комментарий
    • bowtiesmilelaughingblushsmileyrelaxedsmirk
      heart_eyeskissing_heartkissing_closed_eyesflushedrelievedsatisfiedgrin
      winkstuck_out_tongue_winking_eyestuck_out_tongue_closed_eyesgrinningkissingstuck_out_tonguesleeping
      worriedfrowninganguishedopen_mouthgrimacingconfusedhushed
      expressionlessunamusedsweat_smilesweatdisappointed_relievedwearypensive
      disappointedconfoundedfearfulcold_sweatperseverecrysob
      joyastonishedscreamtired_faceangryragetriumph
      sleepyyummasksunglassesdizzy_faceimpsmiling_imp
      neutral_faceno_mouthinnocent

    Микросхема ШИМ-контроллера FSP3528 и субмодуль управления системным блоком питания на ее основе

    Если раньше элементная база системных блоков питания не вызывала ни каких вопросов - в них использовались стандартные микросхемы, то сегодня мы сталкиваемся с ситуацией, когда отдельные разработчики блоков питания начинают выпускать собственную

    Схемы подключения асинхронного электродвигателя

    Асинхронный электродвигатель является основой многих инструментов, например, таких как сверлильный и точильный станок. Обычно концы обмоток такого двигателя выводятся на трех- или шестиклеммную колодку. В первом случае речь будет идти о схеме

    Комбинированная плата блока питания и инвертора задней подсветки монитора Samsung SyncMaster 943N

    Источники питания и инверторы задней подсветки - это то, что вызывает повышенный интерес у специалистов по ремонту LCD-мониторов. И это вполне объяснимо, ведь данные модули дают наибольший процент отказов. Схемотехника этих модулей не является

    Опыт ремонта LCD-матрицы. Дефект - нарушена цветопередача

    Диагноз «неисправность матрицы» звучит как приговор для LCD-дисплея. Ремонт матрицы не предусмотрен ни одними фирменными регламентами. И многие сервисные специалисты даже не пытаются что-либо предпринимать в ситуации, когда дефект матрицы очевиден и

    Контроллер задней подсветки LCD-дисплеев FAN7314. Архитектура, функционирование и диагностика

    Продолжаем рассказывать о микросхемах контроллеров, управляющих лампами CCFL в блоке задней подсветки LCD-мониторов. Сегодня в поле нашего зрения попала микросхема FAN7314, которая получила достаточно широкое применение в инверторах задней