Маркировка микросхем Hynix

Комплектующие, радиокомпоненты / Радиодетали / Микросхемы
Administrator
5 281
6-09-2015, 19:16
0

Маркировка микросхем Hynix: HY AA В CC DD E F G H I J — KK L

HY -> Hynix Memory, говорит о том, что микросхема произведена компанией Hynix
AA -> Указывает тип памяти, принимает одно из следующих значений:
5D - DDR SDRAM;
5Q — GDDR2 SDRAM;
5R — GDDR3 SDRAM

В -> Указывает напряжение питания VDD и VDDQ, принимает одно из следующих значений:
V — 3,3 В, 2,5 В;
U — 2,5 В, 2,5 В;
W — 2,5 В, 1,8 В;
S — 1,8 В, 1,8 В
CC -> Указывает емкость чипа и время подзарядки,
nК - обозначает число столбцов в адресной матрице чипа памяти.
{banner_rca-news-1-1}
Адресная матрица не всегда имеет квадратный вид, потому что на подзарядку чипа с меньшим числом строк уходит меньше времени, что увеличивает быстродействие:
32 — 32 Мбит, 4К, 32 мс;
64 — 64 Мбит, 4К, 64 мс;
66 — 64 Мбит, 2К, 16 мс;
28 — 128 Мбит, 4К, 64 мс;
26 — 128 Мбит, 4К, 32 мс;
56 — 256 Мбит, 8К, 64 мс;
57 — 256 Мбит, 4К, 32 мс;
58 — 256 Мбит, 8К, 32 мс;
12 — 512 Мбит, 8К, 64 мс;
1G — 1 Гбит, 8К, 64 мс

DD -> Указывает организацию памяти, принимает одно из следующих значений:
16 — х16;
32 — х32

E -> Указывает число банков памяти, принимает одно из следующих значений:
1 — 2 банка;
2 — 4 банка;
3 — 8 банков

F -> Указывает тип интерфейса памяти, принимает одно из следующих значений:
1 — SSTL_3;
2 — SSTL_2;
3 — - SSTL_18;
4 — Reserved;
5 — POD_18
{banner_rca-news-1-2}
G -> Поколение памяти, принимает одно из следующих значений:
пробел — первое поколение,
А — второе поколение,
В — третье поколение,
С — четвертое поколение,
D — пятое поколение
H -> Тепловыделение, принимает следующие значения:
пробел — нормальное,
L - пониженное
I -> Тип корпусировки, принимает следующие значения:
Т — TSOP II,
Q — LQFP,
F — FBGA,
FM — MCP FBGA
J -> Материал корпуса, принимает следующие значения:
пробел — нормальный,
L — не содержащий свинца,
Н — не содержащий галогенов,
R — не содержащий свинца и галогенов
{banner_rca-news-1-3}
KK -> КК — скорость (время доступа), принимает следующие значения:
6 — 6ns, 166 МГц;
55 — 5,5ns, 183 МГц;
5 — 5ns, 200 МГц;
45 — 4,5ns, 222 МГц;
43 — 4,3ns, 233 МГц;
4 — 4ns, 250 МГц;
36 — 3,6ns, 275 МГц;
33 — 3,3ns, 300 МГц;
3 — 3ns, 333 МГц;
28 — 2,8ns, 350 МГц;
26 — 2,6ns, 375 МГц;
25 — 2,5ns, 400 МГц;
22 — 2,2ns, 450 МГц;
2 — 2ns, 500 МГц;
18 — 1,8ns, 550 МГц;
16 — 1,6ns, 600 МГц;
14 — 1,4ns, 700 МГц;
12 — 1,2ns, 800 МГц.

Все частоты приведены в SDR, реальная частота DDR=SDRx2. Стоит отметить, что частота памяти по умолчанию не всегда совпадает с той, которая указана на микросхеме
L -> Температура, принимает следующие значения:
I — индустриальный стандарт (-40°С...80°С);
E — extended стандарт (-25°С...+80°С)