СИСТЕМА ОБОЗНАЧЕНИЙ ТРАНЗИСТОРОВ В СССР

Комплектующие, радиокомпоненты / Радиодетали / Полупроводники
Administrator
2 635
26-06-2017, 23:22
0

Конструкции самых распространенных видов транзисторов показаны на рис. 1.

Рис. 1. Конструкции корпусов транзисторов:

а - МП9, МП10, МП35, МП38, МП101, МП113, б - КТ373, КТ502, КТ503, в - ГТ403, г - КТ315, КТ361, д - КТ601, КТ602, КТ807, е - КТ805, КТ814:
К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер

Основные параметры, характеризующие свойства транзисторов, приведены ниже:
материал (германий или кремний),

тип транзистора (p-n-p или n-p-n),

статический коэффициент усиления по току,

максимальная мощность, рассеиваемая на коллекторе.

По этому параметру все транзисторы делятся на маломощные (Р ≤ 0,3 Вт), средней мощности (0,3 Вт < Р ≤ 1,5 Вт) и большой мощности (Р > 1,5 Вт):

граничная частота коэффициента усиления по току; транзисторы могут быть низкочастотными (граничная частота ниже 3 МГц), средней частоты (граничная частота до 30 МГц), высокочастотными и СВЧ;

коэффициент собственного шума.

Система обозначения транзисторов основана на их физических свойствах и конструктивно-технологических признаках.

В основу системы положен буквенно-цифровой код.

Первый элемент показывает исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор, например;

Г или 1 — германий или его соединения;

К или 2 кремний или его соединения.

Второй элемент (буква) определяет подкласс транзистора, например:

Т — для биполярных транзисторов, П - для полевых.

Третий элемент (цифра) характеризует значение рассеиваемой мощности и граничной частоты, например:

1 — маломощные низкочастотные транзисторы (рис. 1, а);

2 — маломощные транзисторы средней частоты;

3 - маломощные высокочастотные транзисторы и ВЧ (рис. 1, б);

4 - низкочастотные транзисторы средней мощности рис. 1, в);

5 - транзисторы средней мощности, cpедней частоты;

6 — высокочастотные транзисторы средней мощности;

7 — низкочастотные транзисторы большой мощности;

8 — транзисторы большой мощности, средней частоты (рис. 1, г — е);

9 — высокочастотные транзисторы большой мощности и СВЧ.

Четвертый элемент (цифра) — порядковый номер разработки транзистор.

Пятый элемент (буква) условно определяет классификацию по параметрам транзисторов, изготовленных по единой технологии.

Для обозначения порядкового номера разработки используют числа от 01 до 999.

В качестве классификационной литеры используйте буквы русского алфавита от А до Я, за исключением сходных по начертанию с цифрами 3, 0, 4.

Таким образом, современная система обозначений позволяет по наименованию типа получить значительный объем информации о свойствах транзистора.

Например: ГТ101А — германиевый биполярный маломощный низкочастотный транзистор, номер разработки 1, группа А;

21399A кремниевый биполярный маломощный СВЧ, номер разработки 99, группа А.

В аппаратуре транзистор может быть использован в широком диапазоне напряжений и токов.

Ограничением служат значения предельно допустимых режимов, превышение которых в условиях эксплуатации не допускается.

Даже кратковременное превышение предельно допустимых режимов, указанных в справочнике, может привести к пробою p-n-перехода, перегоранию внешних выводов и выходу прибора из строя.

При применении мощных транзисторов необходимо обеспечивать правильный тепловой режим работы, чтобы температура корпуса транзистора не превышала допустимую.

При повышении температуры корпуса может увеличиться температура p-n-перехода, в результате этого возникнет его тепловой пробой.

Чтобы избежать такого явления необходимо улучшать отвод теплоты от корпуса транзистора.

В качестве теплоотводов для мощных транзисторов могут использоваться специально сконструированные радиаторы, выполненные из материалов высокой теплопроводности, или конструктивные элементы шасси и корпусов приборов.

Крепление мощных транзисторов к радиаторам должно обеспечивать их надежный тепловой контакт.

Условные обозначения биполярных транзисторов, разработанных до 1964 г. состояли из двух или трех элементов.

Первый элемент обозначения буква П — характеризует класс биполярных транзисторов: две буквы МП класс транзисторов в корпусе, герметизируемом холодной сваркой.

Второй элемент обозначения — одно-, двух- и трехзначное число, которое определяет порядковый номер разработки и указывает на подкласс транзистора по значениям допустимой рассеиваемой мощности и граничной частоты:

от 1 до 99 германиевые маломощные низкочастотные транзисторы;

от 100 до 199 кремниевые маломощные низкочастотные транзисторы;

от 200 до 299 — германиевые мощные низкочастотные транзисторы;

от 301 до 399 кремниевые мощные низкочастотные транзит горы.

О.Вершинин И.Мироненко

Источник: https://entersait.ru

Обсудить на форуме