trust already work Высокоэффективный драйвер управления мощного IGBT силового модуля » Портал инженера

Высокоэффективный драйвер управления мощного IGBT силового модуля

Высокоэффективный драйвер управления мощного IGBT силового модуля

На данной осциллограмме показано  включение и выключение IGBT модуля с емкостью затвора 16000пф на частоте более 30кГц в клетке 2мкс.

Высокоэффективный драйвер управления мощного IGBT силового модуля
Драйвер предназначен для построения  инверторов мощность которых составляет десятки - сотни кВт. Драйвер имеет эффективную защиту от сквозного тока (то есть, одновременное включение верхнего и нижнего ключа). А так же  имеет встроенные источники DC/DC питания, управление драйвером осуществляется сигналами ТТЛ, КМОП логикой. Драйвер позволяет имеет полную гальваническую развязку между силовой частью и схемой управления. 

Осциллограмма работы драйвера на частоте 70кГц, в клетке 1мкс.

Высокоэффективный драйвер управления мощного IGBT силового модуля
Данный силовой модуль можно применять при создании трёхфазных инверторов, а так же  в других применениях силовой электроники. Основные характеристики драйвера:
- напряжение питания 18В.
- выходной ток управления на включение 1А, на выключение 2А.
- частота переключения до 20кГц.
- количество каналов управления 2.
Высокоэффективный драйвер управления мощного IGBT силового модуля

Макет мощного трёхфазного инвертора с применением данных драйверов и платы управления МК. Протестировано на низком напряжении, работает нормально (в место высокого напряжения 530В было подано постоянное напряжение 20В).

Высокоэффективный драйвер управления мощного IGBT силового модуля

Управления драйверами выполнена вот по этой схеме с учётом мёртвого времени переключения силовых ключей которое можно регулировать при помощи подбора ёмкостей С2-С7. Увеличивая данную ёмкость мы увеличиваем мёртвое время и наоборот уменьшая ёмкость, уменьшаем мёртвое время.

Высокоэффективный драйвер управления мощного IGBT силового модуля

На данном видео показана работа инвертора с частотой ШИМ 2кГц. Здесь так же показано мёртвое время в полумосте. В начале ролика это чётко видно. Извиняюсь за плохое качество изображения "Как есть, так есть". 

 

Источник: https://vgtmaster.ucoz.ru/



Обсудить на форуме

Комментарии

Добавить комментарий
    • bowtiesmilelaughingblushsmileyrelaxedsmirk
      heart_eyeskissing_heartkissing_closed_eyesflushedrelievedsatisfiedgrin
      winkstuck_out_tongue_winking_eyestuck_out_tongue_closed_eyesgrinningkissingstuck_out_tonguesleeping
      worriedfrowninganguishedopen_mouthgrimacingconfusedhushed
      expressionlessunamusedsweat_smilesweatdisappointed_relievedwearypensive
      disappointedconfoundedfearfulcold_sweatperseverecrysob
      joyastonishedscreamtired_faceangryragetriumph
      sleepyyummasksunglassesdizzy_faceimpsmiling_imp
      neutral_faceno_mouthinnocent

    Ремонт силового модуля частотника

    Довольно часто в частотных преобразователях встречается такая неисправность - перегорают силовые транзисторы. Обычно в этом случае на дисплее высвечивается код ошибки OC3 или похожий. Также часто эти транзисторы собраны в силовой модуль на общей

    ШИМ-контроллеры

    За последнее десятилетие мы видим ускоренный темп развития электронных устройств. Вместе с ним растут и требования к устройству питания. 

    Контроллер для проверки шаговых двигателей

    Функционально устройство состоит из двух частей: «Контроллера» и «Драйвера». «Контроллер» собран на популярном МК Attiny2313, работающим на частоте 1 мГц от внутреннего генератора. «Драйвер» представляет собой набор из 4-х ключей, на транзисторах

    Включение тиристора в различные цепи управления

    Преимуществом тиристоров является высокая надежность, малые токи управления, большие токи в силовых цепях, небольшая стоимость самого тиристора. 

    Управление силовыми ключами MOSFET и IGBT

    В настоящее время в качестве силовых ключей большой и средней мощности применяются в основном MOSFET и IGBT транзисторы. Если рассматривать эти транзисторы как нагрузку для схемы их управления, то они представляют собой конденсаторы с ёмкостью в