В принятой в СССР системе обозначение ИМС состоит из четыреx элементов:

- первый — цифра (1, 5, 7), определяющая конструктивно-технологическое исполнение микросхемы;

- второй — цифры от 000 до 999 (или от 00 до 99), которые вместе с цифрой первого элемента обозначают порядковый номер серии микросхемы;

- третий — две буквы, соответствующие функциональному назначению (табл. 1);

- четвертый — порядковый номер ИМС в данной серии.

Например, КР1533ЛАЗ расшифровывают так: микросхема широкого применения (К), в пластмассовом корпусе (Р), полупроводниковая (1), серии 533, выполняющая функции логического элемента И-НЕ, порядковый номер в группе — 3.

Иногда в конце условного обозначения ИМС добавляют букву, указывающую технологический разброс электрических параметров.

Существует несколько серий ИМС, выполненных на МОП-транзисторах одного типа проводимости, например серии 145 и 536 делают с каналом р-проводимости, а серии 565 и 586 с каналом n проводимости.

Достоинства ИМС на МОП -транзисторах в полной мере раскрываются при совместном использовании МОП -транзисторов с каналами противоположных типов проводимости, выполненных на одном кристалле.

Подобные структуры называются комплементарными (КМОП), или взаимодополняющими.

По КМОП -технологии выполняют серии К176, К561, К564, К537. Если микросхемы работают с тактовой частотой ниже 1 МГц, то параметры КМОП ИМС во многом превосходят параметры ТТЛ ИМС.

Мощность, потребляемая в статическом режиме, определяется напряжением питания и током утечки закрытого МОП -транзистора; она составляет единицы микроватт.

При переключениях мощность в основном расходуется на перезаряд выходных паразитных емкостей схемы и собственных емкостей транзистора.

Распространенные КМОП ИМС устойчиво работают в широком диапазоне питающих напряжении.

Для серий К561, К564, напримеp, рабочее напряжение может находиться в пределах 3 - 15 В.

От напряжения питания зависит время задержки распространения сигнала, причем с понижением напряжения питания оно увеличивается.

Так, для серии К561 при U = 10 В время задержки 20 нс, а нри U =5 В — 60 нс.

Таким образом, при снижении напряжения питания уменьшается потребляемая мощность, но снижается быстродействие.

Примером ИМС ЭСЛ являются быстродействующие микросхемы серии 500 со следующими типовыми параметрами:

- время задержки сигнала одним элементом — 1,5 - 2,0 нс;

- потребляемая мощность 8 - 25 мВт (в ненагруженном состоянии);

- амплитуда логического сигнала — 0,8 В;

- напряжение сигналa 5,2 В;

- функциональный набор - 48 различных модификаций микросxем.

Уровень интеграции в этой серии - от единиц до 80 логических элементов на кристалл.

Интегральные микросхемы серии 500, обладающие высокими технико-экономическими характеристиками, стали основной элементной базой ЭВМ Единой системы (ЕС ЭВМ).

В частности, на основе ИМС серии 500 построены отечественные ЭВМ общего назначения ЕС1035, ЕС1045, ЕС1060, ЕС1065 и др.

Микросхемы ЭСЛ серии 500 являются схемотехническим, функциональным и конструктивным аналогом зарубежных микросхем серии MC10000.

Кроме микросхем серии 500, выпускаемых в корпусах со штырьковыми выводами, отечественная электронная промышленность изготовляет аналогичные ИМС в корпусах с планарными выводами (серия 100) и в бескорпусном исполнении с микровыводами (серия 700).

 

Источник: https://entersait.ru

Обсудить на форуме